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ICP電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀

ICP-MS分析技術(shù)在半導(dǎo)體高純材料分析中的應(yīng)用

發(fā)布日期:2021-09-17  點(diǎn)擊次數(shù):

            關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體;高純材料; 質(zhì)譜;雜質(zhì)分析;美析儀器:www.tudou159.cn;ICP-MS6880


  電感耦合等離子體質(zhì)譜分析法是將電感耦等離子體(ICP)技術(shù)和質(zhì)譜(MS)技術(shù)結(jié)合起來, 利用等離子體作為離子源,由接口將等離子體中被 電離了的試樣離子引入質(zhì)譜儀,用質(zhì)譜儀對(duì)離子進(jìn)行質(zhì)量分析(按m/Z比值將不同的離子分開)并檢測記錄,根據(jù)所得質(zhì)譜圖進(jìn)行定性定量分析。
  具有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn):
  (1)靈敏度高:ICP-MS6880儀器的靈敏度一般高出lCP-AES一到兩個(gè)數(shù)量級(jí),從而對(duì)多數(shù)元素能達(dá) 到更低的檢出限:
  (2)動(dòng)態(tài)線性范圍寬:
  (3)可多元素同時(shí)分析;
  (4)分析速度快,單個(gè)樣品一般在幾秒鐘內(nèi)完成:
  (5)分析元素范圍廣,能分析元素周期表中除碳、氫、氧外的絕大多數(shù)元素. 正因?yàn)檫@些優(yōu)點(diǎn),使ICP-MS6880分析技術(shù)廣泛應(yīng) 用于半導(dǎo)體工業(yè)用高純材料的痕量雜質(zhì)分析中.
  主要進(jìn)行的高純材料分析
  1. IC硅片表面雜質(zhì)分析
  2. 光伏多晶硅、單晶硅雜質(zhì)分析
  3. 三氯氫硅、四氯化硅: ICP.MS法測定高純四氯化硅中們、V、cr、‘ Co、Ni、Cu、Pb、Zn、Mn九種金屬元素.
  4. 超凈贏純?cè)噭┓治觯豪浞?、硝酸、硫酸、鹽酸、氨水、雙氧水等超純無機(jī)試劑,和異丙醇(IP:A)、丙酮、四甲基氫氧化銨(TMAH),N.甲基丙絡(luò)烷酮 (NMP)、丙二醇甲基醚乙酯(PGMEA)等超純有機(jī)試劑
  5. 超純水分析
  6. 高純氣體分析